这锗碳纳米晶体管芯片还是要继续提升的，从32纳米提升到14纳米，10纳米，7纳米，5纳米。
但这在赵小侯的计划里，已经是下个项目的事情了。
更何况，他未必就会像这个项目一样，天天参与进去做实验了。
原因很简单，路都已经完全铺好了，纳米制程的提升无非就是按部就班的不断做实验。
对于他来说，这样的实验压根就没有太多意义可言。
随后赵小侯就将法务部的副总监王莉莉给叫了过来，交代了她一些事情。
主要就是关于一些专利的申请。
赵小侯给王莉莉准备了相当多的专利资料，其中包括了锗碳纳米管的制备技术，锗碳纳米晶体管的制备技术以及锗碳cpu的制备技术等等，同时还有变频双重电磁场发生器，变频多重电磁场发生器的专利技术。
这变频多重电磁场发生器，赵小侯是准备用在之后高端锗碳纳米制程上的设备，这个时候正好一起申报专利。
至于论文的发表，他还不急，需要等到王莉莉将这些专利技术全部申请了之后再说。
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